在開關(guān)電源電路中，自舉電容電路是一種重要的升壓電路形式。其核心原理是利用MOS管（主要指上管）與電容相互配合，通過電源對(duì)電容進(jìn)行充電操作，使得電容兩端的電壓得以高于輸入電壓Vin，從而實(shí)現(xiàn)電壓的提升。
最基本的自舉電路架構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)潔，僅由一個(gè)電容構(gòu)成。然而，為了有效避免因電壓升高后出現(xiàn)回灌現(xiàn)象對(duì)原始輸入電壓造成干擾，通常會(huì)在電路設(shè)計(jì)中引入一個(gè)二極管進(jìn)行隔離保護(hù)。
自舉電容電路的工作優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在能夠巧妙地借助電容兩端電壓無法突變這一固有特性來達(dá)成電壓升高的目的。
具體到自舉電路的組成與連接關(guān)系：
電容的左端被標(biāo)記為VB，即Vboost，而電容的右端則對(duì)應(yīng)VS浮地。
電路中的C3扮演自舉電容的角色。
M代表感性負(fù)載，電流在其間呈現(xiàn)向右續(xù)流的狀態(tài)。
當(dāng)MOS管Q開通時(shí)，假設(shè)此時(shí)自舉電容C3已經(jīng)處于充滿電的狀態(tài)，其電壓為14V。若PWM信號(hào)為1，則Q1實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通，此時(shí)C端電壓被拉低。隨之，Q2的B端電壓也相應(yīng)降低至低電平，進(jìn)而促使Q2導(dǎo)通。
此時(shí)，Q2的E端電壓達(dá)到14V，經(jīng)過Q2、D2、R4等元件后，MOS管G端的電壓大致穩(wěn)定在12V左右，從而使得Q管（MOS管）順利導(dǎo)通。由此可得出，在此過程中自舉電源的電壓需要比MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓高出約2V。
此后Q3的B端電壓高于E端，Q3則關(guān)斷。
此后Q3的B端電壓高于E端，Q3則關(guān)斷。
在Q管導(dǎo)通之后，VM（電機(jī)M作為感性負(fù)載）直接作用于Q管的S端。由于S端與電容的右端相連接，這導(dǎo)致自舉電容C3的右端電壓被抬高，大約處于24V的水平。
基于電容兩端電壓不能突變的特性，電容左邊的電壓也會(huì)隨之被抬高，此時(shí)計(jì)算得出的電壓為14V+24V=38V。該38V電壓經(jīng)由Q2、D2、R4持續(xù)供應(yīng)給Q管的G端，最終實(shí)現(xiàn)Q管的S端和G端同時(shí)被抬高至24V，且Vgs穩(wěn)定在12V的工作狀態(tài)。
而在MOS管Q關(guān)斷的情形下，當(dāng)PWM信號(hào)切換為0時(shí)，Q1斷開。此時(shí)，Q2的BE極不再有電流流通路徑，進(jìn)而導(dǎo)致Q2斷開。此時(shí)自舉電容的泄放致使Vgs=0，Q管隨之關(guān)閉。
此時(shí)，電機(jī)M（感性負(fù)載）的電流依然保持向右續(xù)流的方向，續(xù)流路徑為Q管的體二極管。在此過程中，C3電容右端的電壓降至-0.7V，暫時(shí)失去升壓功能。此時(shí)，二極管D1導(dǎo)通，14V電源借助D1對(duì)C3電容重新進(jìn)行充電，直至充電完成。
隨后，當(dāng)PWM信號(hào)再次從0切換回1時(shí)，整個(gè)工作循環(huán)重新啟動(dòng)，繼續(xù)維持電路的正常運(yùn)行與電壓轉(zhuǎn)換功能。
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