今天我們來了解下MOS管為什么需要加快關(guān)斷速度，以及應該如何加速關(guān)斷。
MOS管驅(qū)動有很多種，之前我們有所了解，其中有一種就是用專門的驅(qū)動芯片進行驅(qū)動，我們主要圍繞這個驅(qū)動設(shè)計來展開。
在MOS管關(guān)斷的時候，一般電壓會比開通的時候更高，關(guān)斷產(chǎn)生的損耗也比開通產(chǎn)生的損耗要大，因此我們總希望電路關(guān)斷的速度能變快點。
那么，我們要怎樣加速MOS管的關(guān)斷呢？
我們看下面這張圖
當MOS管開通時，電阻R1與R4限流，進而對MOS管電容進行充電 ；
在這里要注意，R1與R4的電阻參數(shù)不是固定的，并且，R1會小于R4。
當MOS管關(guān)斷時，R4電阻上的電壓被鉗位在0.7V，當大于0.7V后，電流經(jīng)過二極管，然后與R1串聯(lián)進行放電，這樣就減少了驅(qū)動電阻，因此MOS管可以實現(xiàn)快速關(guān)斷，進而減少了關(guān)斷損耗。
這里有個問題，如果芯片驅(qū)動能力不足的話怎么辦？
答案是：我們可以通過增加PNP三極管來實現(xiàn)。
當MOS管開通時，依舊讓芯片進行直接驅(qū)動，但在關(guān)斷時可以通過三極管來進行放電。
這時，三極管的be電流控制ec電流，進而泄放MOS管的柵極電容的電荷。當三極管的ce電流滿足一定條件時，ec的電流能夠通過be電流進行放大，這樣電源IC所需的關(guān)斷能力就會小很多。
這不僅加快了MOS管關(guān)斷速度慢的問題，同時也解決了IC驅(qū)動能力不足的問題。
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