P溝道MOS管開關(guān)電路
上圖是兩種P溝道MOS管開關(guān)電路應(yīng)用：其中第一種NMOS管為高電平導通，低電平截斷，Drain端接后面電路的接地端；第二種為P溝道MOS管開關(guān)電路，為高電平斷開，低電平導通，Drain端接后面電路的VCC端。
P溝道MOS管開關(guān)電路工作原理
金屬氧化物半導體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為銜接源極和漏極的溝道。
改動柵壓可以改動溝道中的電子密度，從而改動溝道的電阻。這種MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強型場效應(yīng)晶體管。假設(shè)N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上恰當?shù)钠珘海墒箿系赖碾娮柙龃蠡驕p小。這樣的MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。
什么是P溝道MOS管
PMOS是指n型襯管底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。
P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高，要求有較高的工作電壓。
它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路（見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路）出現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS電路所取代。
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