結(jié)電容”的定義適用于所有的FET，并不局限于VMOS，也適用于所有的VMOS晶體管，只是測(cè)定方法與標(biāo)識(shí)方法有差異。實(shí)際上結(jié)電容還包括引線電極與管芯之間的電容、管芯各組成部分之間、管芯與封裝之間的分布電容。
Cgd在BJT（雙極性晶體管）中也稱(chēng)為米勒電容(Cbc)，對(duì)FET而言也同樣可以這樣稱(chēng)呼，二者在功能上是等同的。
盡管結(jié)電容的容墩非常小，對(duì)電路穩(wěn)定性的影響卻是不容忽視的，處理不當(dāng)往往會(huì)引起高頻自激振蕩。更為不利的是，柵控器件的驅(qū)動(dòng)本來(lái)只需要一個(gè)控制電壓而不需要控制功率，但是下作頻率比較高的時(shí)候，結(jié)電容的存在會(huì)消耗可觀的驅(qū)動(dòng)功率，頻率越高，消耗的功率越大。
在實(shí)踐中，為了分析問(wèn)題的方便，一般并不直接用結(jié)電容參數(shù)進(jìn)行分析，而是重新定義了三個(gè)變量，統(tǒng)稱(chēng)為分布電容，具體如下。
輸入電容(lnput Capacitance)：Ciss=Cgd十Cgs
輸出電容(Output Capacitance)：Cdss=Cgd+Cds
逆導(dǎo)電容( Reverse Transfer Capacitance)：Crss＝Cgd
之所以引入分布電容的概念，是因?yàn)榻Y(jié)電容是由晶體管的材料和結(jié)構(gòu)決定的，不能全面反映對(duì)晶體管電路的實(shí)際影響。分布電容則主要反映結(jié)電容對(duì)下作電路的影響。
無(wú)論是CiSS、Coss、Crss中的哪一個(gè)，我們都希望他們盡量小一些。
Ciss會(huì)增加驅(qū)動(dòng)功率，高頻應(yīng)用時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)需要對(duì)Ciss充電和放電，因而會(huì)影響開(kāi)關(guān)速度，降低驅(qū)動(dòng)電路的輸出阻抗有利于提高輸出電流，提高對(duì)Ciss的充放電速度，有利于提高開(kāi)關(guān)速度。
Ciss會(huì)導(dǎo)致VMOS在高頻應(yīng)用時(shí)不能被真正關(guān)斷，白白消耗功率，降低PD值；Crss引起正反饋，即輸；H信號(hào)會(huì)從漏極倒灌回到柵極，引起白激振蕩。
Ciss、Coss、Crss的大小與源-漏極電壓VDSS有關(guān)，因此有些公開(kāi)的資料也將它們稱(chēng)為動(dòng)態(tài)數(shù)(Dynamic Characteristics)，不過(guò)它們幾乎不受溫度的影響，這給我們的電路分析帶來(lái)了方便。
即使是VMOS單管也都是由不計(jì)其數(shù)的管芯單元組成的，每個(gè)管芯單元都可以視為一個(gè)微型的VMOS單管，對(duì)于一個(gè)管芯單元來(lái)說(shuō)，結(jié)電容都是非常小的值，但是對(duì)于數(shù)以萬(wàn)計(jì)的管芯單元來(lái)說(shuō)，這些結(jié)電容大致為并聯(lián)關(guān)系，容量就相當(dāng)可觀了。
因此，管芯單元的結(jié)電容越小，—個(gè)封裝內(nèi)的管芯單元越少，則上述電容值就越小；電壓/電流規(guī)格相同的VMOS，分布電容越小，就意味著VMOS的生產(chǎn)工藝越先進(jìn)，能夠適應(yīng)的工作頻率越高。
電容對(duì)高速開(kāi)關(guān)信號(hào)來(lái)說(shuō)都是非線性的，只有正弦波才接近線性，因此Ciss、Coss、Crss很少用于定量計(jì)算而是用于定性分析。要對(duì)分布參數(shù)對(duì)電路的影響進(jìn)行定量的計(jì)算，一般采用的是更簡(jiǎn)化的方法，即柵電荷的概念。
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