MOS管是電壓驅(qū)動的元器件，通常被用作較大功率的電子開關(guān)，來控制直流負載回路的通斷。 MOS管可以分為NMOS和PMOS，具有三個電極，分別為： 1)門極G； 2)源極S； 3)漏極D。 其中門極為控制端，源極S和漏極D為輸出端。
MOS管的控制方式
MOS管通過GS之間的電壓VGS來控制通斷，NMOS和PMOS的控制方式不一樣，如下： NMOS的控制方式 NMOS的VGS > Vth時，NMOS導通，用單片機控制NMOS時，單片機輸出高電平可以控制NMOS管的導通，單片機輸出低電平時NMOS管關(guān)斷。
控制電路如下圖所示:
PMOS的控制方式 PMOS的VGS用單片機控制PMOS時，單片機輸出低電平，PMOS導通；單片機輸出高電平時，PMOS截止關(guān)斷。
控制電路如下圖所示:
單片機直接控制MOS管的應用風險
單片機的供電為5V或者3.3V，而且以3.3V居多，MOS管的Vth一般在(2-5)V，用單片機可以直接控制。對于過電流能力較強大功率MOS管而言，Vth的值可能更大。 這時候用單片機就不能直接控制了。
實際上，為了使MOS管更穩(wěn)定的工作，我們一般會用三極管來控制MOS管，因為三極管是流控型的器件，單片機驅(qū)動三極管更為合適。
下圖是單片機通過三極管控制NMOS的電路圖:
單片機輸出高電平時，三極管導通，NMOS的G極為低電平，NMOS截止關(guān)斷； 單片機輸出低電平時，三極管截止，G極為高電平，NMOS導通。這樣可以有效的避免單片機輸出的電平無法滿足VTH的情況。
MOS管在選型的時候，ID電流，耐壓值是一定要考慮的參數(shù)，而VTH往往被忽略，這可能就會導致用單片機直接驅(qū)動MOS而不導通的情況。
另外，還需要注意的是，NMOS和PMOS在做開關(guān)時導通方向不一樣，負載所接的位置也不一樣。
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