MOS管及其擴(kuò)展知識(shí)
今天簡(jiǎn)單總結(jié)一下MOS管，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。
改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)钠珘海墒箿系赖碾娮柙龃蠡驕p小。
這樣的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。
下圖是本文知識(shí)點(diǎn)
場(chǎng)效應(yīng)管分類
場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型（JFET）和金屬-氧化物-半導(dǎo)體型（MOSFET）兩種類型。JFET的英文全稱是Junction Field-Effect Transistor，也分為N溝道和P溝道兩種，在實(shí)際中幾乎不用。
MOSFET英文全稱是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，應(yīng)用廣泛，MOSFET一般稱MOS管。
MOSFET有增強(qiáng)型和耗盡型兩大類，增強(qiáng)型和耗盡型每一類下面都有NMOS和PMOS。增強(qiáng)型MOS管的英文為Enhancement MOS或者EMOS，耗盡型MOS管的英文為Depletion MOS或者DMOS。
一般主板上使用最多的是增強(qiáng)型MOS管，NMOS最多，一般多用在信號(hào)控制上，其次是PMOS，多用在電源開關(guān)等方面，耗盡型幾乎不用。
N和P區(qū)分
如下紅色箭頭指向G極的為NMOS，箭頭背向G極的為PMOS。
寄生二極管
由于生產(chǎn)工藝，一般的MOS管會(huì)有一個(gè)寄生二極管，有的也叫體二極管。
紅色標(biāo)注的為體二極管
從上圖可以看出NMOS和PMOS寄生二極管方向不一樣，NMOS是由S極→D極，PMOS是由D極→S極。
寄生二極管和普通二極管一樣，正接會(huì)導(dǎo)通，反接截止，對(duì)于NMOS，當(dāng)S極接正，D極接負(fù)，寄生二極管會(huì)導(dǎo)通，反之截止；對(duì)于PMOS管，當(dāng)D極接正，S極接負(fù)，寄生二極管導(dǎo)通，反之截止。
某些應(yīng)用場(chǎng)合，也會(huì)選擇走體二極管，以降低DS之間的壓降（體二極管的壓降是比MOS的導(dǎo)通壓降大很多的），同時(shí)也要關(guān)注體二極管的過電流能力。
當(dāng)滿足MOS管的導(dǎo)通條件時(shí)，MOS管的D極和S極會(huì)導(dǎo)通，這個(gè)時(shí)候體二極管是截止?fàn)顟B(tài)，因?yàn)镸OS管的導(dǎo)通內(nèi)阻極小，一般mΩ級(jí)別，流過1A級(jí)別的電流，也才mV級(jí)別，所以D極和S極之間的導(dǎo)通壓降很小，不足以使寄生二極管導(dǎo)通，這點(diǎn)需要特別注意。
導(dǎo)通條件
MOS管是壓控型，導(dǎo)通由G和S極之間壓差決定。對(duì)NMOS來說，Vg-Vs>Vgs(th)，即G極和S極的壓差大于一定值，MOS管會(huì)導(dǎo)通，但是也不能大太多，否則燒壞MOS管，開啟電壓和其他參數(shù)可以看具體器件的SPEC。
對(duì)PMOS來說，Vs-Vg>Vgs(th)，即S極和G極的壓差大于一定值，MOS管會(huì)導(dǎo)通，同樣的，具體參數(shù)看器件的SPEC。
基本開關(guān)電路
NMOS管開關(guān)電路
當(dāng)GPIO_CTRL電壓小于MOS管開啟電壓時(shí)，MOS管截止，OUT通過R1上拉到5V，OUT=5V。
當(dāng)GPIO_CTRL電壓大于MOS管開啟電壓時(shí)，MOS管導(dǎo)通，D極電壓等于S極電壓，即OUT=0V。
PMOS管開關(guān)電路
PMOS管最常用在電源開關(guān)電路中，下圖所示，當(dāng)GPIO_CRTL=0V時(shí)，S和G極壓差大于MOS管開啟電壓時(shí)，MOS管導(dǎo)通，5V_VOUT=5V_VIN。
與三極管的區(qū)別
三極管是電流控制，MOS管是電壓控制，主要有如下的區(qū)別：
1，只容許從信號(hào)源取少量電流的情況下，選用MOS管；在信號(hào)電壓較低，有容許從信號(hào)源取較多電流的條件下，選用三極管。
2，MOS管是單極性器件（靠一種多數(shù)載流子導(dǎo)電），三極管是雙極性器件（既有多數(shù)載流子，也要少數(shù)載流子導(dǎo)電）。
3，有些MOS管的源極和漏極可以互換運(yùn)用，柵極也可正可負(fù)，靈活性比三極管好。
4，MOS管應(yīng)用普遍，可以在很小電流和很低電壓下工作。
5，MOS管輸入阻抗大，低噪聲，MOS管較貴，三極管的損耗大。
6，MOS管常用來作為電源開關(guān)，以及大電流開關(guān)電路、高頻高速電路中，三極管常用來數(shù)字電路開關(guān)控制。
G和S極串聯(lián)電阻的作用
MOS管的輸入阻抗很大，容易受到外界信號(hào)的干擾，只要少量的靜電，就能使G-S極間等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓，如果不及時(shí)把靜電釋放掉，兩端的高壓容易使MOS管產(chǎn)生誤動(dòng)作，甚至有可能擊穿G-S極，起到一個(gè)固定電平的作用。
G極串聯(lián)電阻的作用
MOS管是壓控型，有的情況下，為什么還需要在G極串聯(lián)一個(gè)電阻呢？
1，減緩Rds從無窮大到Rds(on)。
2，防止震蕩，一般單片機(jī)的I/O輸出口都會(huì)帶點(diǎn)雜散電感，在電壓突變的情況下，可能與柵極電容形成LC震蕩，串聯(lián)電阻可以增大阻尼減小震蕩效果。
3，減小柵極充電峰值電流。
MOS管的米勒效應(yīng)
關(guān)于MOS管的米勒效應(yīng)，可以閱讀該網(wǎng)站之前發(fā)布的關(guān)于米勒效應(yīng)的文章。
選型要點(diǎn)
1.電壓值
關(guān)注Vds最大導(dǎo)通電壓和Vgs最大耐壓，實(shí)際使用中，不能超過這個(gè)值，否則MOS管會(huì)損壞。
關(guān)注導(dǎo)通電壓Vgs(th)，一般MOS管都是用單片機(jī)進(jìn)行控制，根據(jù)單片機(jī)GPIO的電平來選擇合適導(dǎo)通閾值的MOS管，并且盡量留有一定的余量，以確保MOS可以正常開關(guān)。
2.電流值
關(guān)注ID電流，這個(gè)值代表了PMOS管的能流過多大電流，反應(yīng)帶負(fù)載的能力，超過這個(gè)值，MOS管也會(huì)損壞。
3.功率損耗
功率損耗需要關(guān)注以下幾個(gè)參數(shù)，包括熱阻、溫度。熱阻指的是當(dāng)有熱量在物體上傳輸時(shí)，在物體兩端溫度差與熱源的功率之間的比值，單位是℃/W或者是K/W，熱阻的公式為ThetaJA = (Tj-Ta)/P，和功率和環(huán)境溫度都有關(guān)系。
4.導(dǎo)通內(nèi)阻
導(dǎo)通內(nèi)阻關(guān)注PMOS的Rds(on)參數(shù)，導(dǎo)通內(nèi)阻越小，PMOS管的損耗越小，一般PMOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都是在mΩ級(jí)別。
5.開關(guān)時(shí)間
MOS作為開關(guān)器件，就會(huì)有開關(guān)時(shí)間概念，在高速電路中，盡可能選擇輸入、輸出電容Ciss&Coss小、開關(guān)時(shí)間Ton&Toff短的MOS管，以保證數(shù)據(jù)通信正常。
6.封裝
根據(jù)PCB板的尺寸，選擇合適的PMOS管尺寸，在板載面積有限的情況下，盡可能選擇小封裝；盡量選擇常見封裝，以備后續(xù)選擇合適的替代料。
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