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          二極管、三極管、MOS管、橋堆

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          • 發(fā)布時(shí)間:2020-09-04 18:05:12
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          mos管的特點(diǎn)與特性-MOS管及IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)等詳解
          mos管的特點(diǎn)
          mos管的特點(diǎn)是什么?MOS管,即金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件;和普通雙極型晶體管相比,MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢(shì),在開(kāi)關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等高頻電源領(lǐng)域得到了越來(lái)越普遍的應(yīng)用。
          MOS管解析
          場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型,分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)。
          mos管的特點(diǎn)
          MOS管即MOSFET,中文全稱是金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
          MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
          mos管的特點(diǎn)
          有的MOSFET內(nèi)部會(huì)有個(gè)二極管,這是體二極管,或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。
          mos管的特點(diǎn)
          關(guān)于寄生二極管的作用,有兩種解釋:
          1、MOSFET 的寄生二極管,作用是防止 VDD 過(guò)壓的情況下,燒壞 MOS 管,因?yàn)樵谶^(guò)壓對(duì) MOS 管造成破壞之前,二極管先反向擊穿,將大電流直接到地,從而避免 MOS 管被燒壞。
          2、防止 MOS 管的源極和漏極反接時(shí)燒壞 MOS 管,也可以在電路有反向感生電壓時(shí),為反向感生電壓提供通路,避免反向感生電壓擊穿MOS管。
          MOSFET 具有輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性,在電路中,可以用作放大器、電子開(kāi)關(guān)等用途。
          mos管的特點(diǎn)-MOS管和IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
          MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示。
          mos管的特點(diǎn)
          IGBT是通過(guò)在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。
          IGBT 的理想等效電路如下圖所示,IGBT 實(shí)際就是 MOSFET 和晶體管三極管的組合,MOSFET 存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn),但 IGBT 克服了這一缺點(diǎn),在高壓時(shí) IGBT 仍具有較低的導(dǎo)通電阻。
          mos管的特點(diǎn)
          另外,相似功率容量的 IGBT 和 MOSFET,IGBT 的速度可能會(huì)慢于 MOSFET,因?yàn)?IGBT 存在關(guān)斷拖尾時(shí)間,由于 IGBT 關(guān)斷拖尾時(shí)間長(zhǎng),死區(qū)時(shí)間也要加長(zhǎng),從而會(huì)影響開(kāi)關(guān)頻率。
          mos管的特點(diǎn)及特性
          1、導(dǎo)通特性
          導(dǎo)通的意義是作為開(kāi)關(guān),相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。Vgs滿足一定條件就會(huì)導(dǎo)通。
          2、損失特性
          導(dǎo)通后均有導(dǎo)通電阻存在,電流就會(huì)被電阻消耗能量,這部分叫做導(dǎo)通損耗;小功率的管子導(dǎo)通電阻一般幾毫歐幾十毫歐,Vgs電壓不一樣電阻也不一樣。管子在導(dǎo)通和截止時(shí),兩端電壓有個(gè)降落過(guò)程,電流有個(gè)上升過(guò)程,在這段時(shí)間內(nèi)管子的損失是電壓和電流的乘積,稱之為開(kāi)關(guān)損失;通常開(kāi)關(guān)損失比導(dǎo)通損失大很多,頻率越快,損失越大。縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間,降低開(kāi)關(guān)頻率均能減小開(kāi)關(guān)損失。
          3、寄生電容驅(qū)動(dòng)特性
          GS GD之間存在寄生電容,MOS管的驅(qū)動(dòng)理論上是對(duì)電容的充放電;對(duì)電容的充電需要一個(gè)電流,由于電容充電瞬間可以看成短路,所以瞬間電流會(huì)比較大,所以選型時(shí)需要注意抗沖擊電流大小。
          4、寄生二極管
          漏極源極之間有個(gè)寄生二極管也叫做體二極管,在感性負(fù)載(馬達(dá)繼電器)應(yīng)用中,主要用來(lái)保護(hù)回路。不過(guò)體二極管只在單個(gè)MOS管中,集成芯片中是沒(méi)有的。
          5、轉(zhuǎn)移特性
          場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性是指漏源電壓固定時(shí),柵源電壓Vgs對(duì)漏極電流Id的控制特性;
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