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          • 發(fā)布時(shí)間:2019-11-25 16:55:06
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          場(chǎng)效應(yīng)管貼片封裝形式
          MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個(gè)外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護(hù)、冷卻的作用,同時(shí)還為芯片提供電氣連接和隔離,以便MOSFET器件與其它元件構(gòu)成完整的電路。按照安裝在PCB 方式來(lái)區(qū)分,MOS管封裝主要有兩大類:插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。插入式就是MOSFET的管腳穿過(guò)PCB的安裝孔焊接在PCB 上。表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB表面的焊盤(pán)上。
          場(chǎng)效應(yīng)管貼片封裝
          場(chǎng)效應(yīng)管貼片封裝規(guī)格為T(mén)O封裝
          TO(Transistor Out-line)的中文意思是“晶體管外形”。這是早期的封裝規(guī)格,例如TO-92,TO-92L,TO-220,TO-252等等都是插入式封裝設(shè)計(jì)。近年來(lái)表面貼裝市場(chǎng)需求量增大,TO封裝也進(jìn)展到表面貼裝式封裝。
          TO252和TO263就是表面貼裝封裝。其中TO-252又稱之為D-PAK,TO-263又稱之為D2PAK。
          D-PAK封裝的MOSFET有3個(gè)電極,柵極(G)、漏極(D)、源極(S)。其中漏極(D)的引腳被剪斷不用,而是使用背面的散熱板作漏極(D),直接焊接在PCB上,一方面用于輸出大電流,一方面通過(guò)PCB散熱。所以PCB的D-PAK焊盤(pán)有三處,漏極(D)焊盤(pán)較大。
          貼片封裝TO-252引腳圖
          場(chǎng)效應(yīng)管貼片封裝流行的還是雙列直插封裝,簡(jiǎn)稱DIP(Dual ln-line Package)。DIP封裝在當(dāng)時(shí)具有適合PCB(印刷電路板)的穿孔安裝,具有比TO型封裝易于對(duì)PCB布線以及操作較為方便等一些特點(diǎn),其封裝的結(jié)構(gòu)形式也很多,包括多層陶瓷雙列直插式DIP,單層陶瓷雙列直插式DIP,引線框架式DIP等等。常用于功率晶體管、穩(wěn)壓芯片的封裝。
          場(chǎng)效應(yīng)管貼片
          SOT封裝
          SOT(Small Out-Line Transistor)小外形晶體管封裝。這種封裝就是貼片型小功率晶體管封裝,比TO封裝體積小,一般用于小功率MOSFET。常見(jiàn)的規(guī)格如上。
          主板上常用四端引腳的SOT-89 MOSFET。
          場(chǎng)效應(yīng)管貼片
          SOT-23封裝
          場(chǎng)效應(yīng)管貼片
          SOP封裝
          SOP(Small Out-Line Package)的中文意思是“小外形封裝”。SOP是表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀(L 字形)。材料有塑料和陶瓷兩種。SOP也叫SOL 和DFP。SOP封裝標(biāo)準(zhǔn)有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等,SOP后面的數(shù)字表示引腳數(shù)。MOSFET的SOP封裝多數(shù)采用SOP-8規(guī)格,業(yè)界往往把“P”省略,叫SO(Small Out-Line )。
          場(chǎng)效應(yīng)管貼片
          SO-8采用塑料封裝,沒(méi)有散熱底板,散熱不良,一般用于小功率MOSFET。
          SO-8是PHILIP公司首先開(kāi)發(fā)的,以后逐漸派生出TSOP(薄小外形封裝)、VSOP(甚小外形封裝)、SSOP(縮小型SOP)、TSSOP(薄的縮小型SOP)等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
          這些派生的幾種封裝規(guī)格中,TSOP和TSSOP常用于MOSFET封裝。
          QFN-56封裝
          場(chǎng)效應(yīng)管貼片
          QFN(Quad Flat Non-leaded package)是表面貼裝型封裝之一,中文叫做四邊無(wú)引線扁平封裝,是一種焊盤(pán)尺寸小、體積小、以塑料作為密封材料的新興表面貼裝芯片封裝技術(shù)。現(xiàn)在多稱為L(zhǎng)CC。QFN是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱。
          封裝四邊配置有電極接點(diǎn),由于無(wú)引線,貼裝占有面積比QFP小,高度比QFP低。這種封裝也稱為L(zhǎng)CC、PCLC、P-LCC等。QFN本來(lái)用于集成電路的封裝,MOSFET不會(huì)采用的。Intel提出的整合驅(qū)動(dòng)與MOSFET的DrMOS采用QFN-56封裝,56是指在芯片背面有56個(gè)連接Pin。
          場(chǎng)效應(yīng)管貼片管腳圖
          部分貼片場(chǎng)效應(yīng)管的管腳排列如下圖。此外,我們]可利用萬(wàn)用表Rx1k檔判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管電極,黑表筆碰觸一個(gè)電極,紅表筆依次碰觸另外兩個(gè)電極,若兩次測(cè)出的阻值都很大,則是P溝道且黑表筆接的是柵極。反之,兩次阻值均很小,則是N溝道,黑表筆接的也是柵極,但此法不能用于測(cè)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
          場(chǎng)效應(yīng)管貼片
          部分場(chǎng)效應(yīng)管管腳排列
          另外,還可用萬(wàn)用表估測(cè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力,如下圖。手捏住柵極后,表針會(huì)向左擺動(dòng)(或向右),但只要有明顯擺動(dòng)說(shuō)明此管有放大能力,擺動(dòng)小,放大能力弱。由于測(cè)量進(jìn)g-結(jié)電窄上充有少量電荷,每次測(cè)量后要將g-s間短路一下,否則再次測(cè)可能表針不動(dòng)。
          對(duì)于大功率場(chǎng)效應(yīng)管,如下圖(a)所示,從左至右,管腳排列基本為G、D、S極(散熱片接D極):采用絕緣底板模塊封裝的特種場(chǎng)效應(yīng)管通常有四個(gè)管腳,如下圖示,上面的兩個(gè)通常為兩個(gè)S極(相連),下面的兩個(gè)分別為G、D極;采用貼片封裝的場(chǎng)效應(yīng)管,如下圖示,散熱片是D極,下面的三個(gè)腳分別是G、D、S極。
          場(chǎng)效應(yīng)管貼片
          場(chǎng)效應(yīng)管貼片的種類
          場(chǎng)效應(yīng)管貼片
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